学术报告（10月28日10：00-11：00）

主持人：姚道新教授

报告摘要：缺陷在多种体系中起着关键作用，包括金属合金、绝缘体，特别是半导体体系。这次报告中我将回顾缺陷形成模拟的第一性原理方法的最新发展，包括热力学效应的处理，稀释浓度极限下的超胞模型近似，以及密度泛函理论低估带隙带来的问题。随后，我们将讨论缺陷形成模拟在储氢、自旋电子学、光伏和光发射体系中的一些应用。

Defect plays critical roles in various systems, including metal alloys, insulators, and particular semiconductors. We will give a review of recent development of the first-principles approach to defect formation simulation, including the treatment of thermodynamic effect, supercell model for dilute limit, as well as band gap issues. Subsequently, our applications of defect formation simulations to hydrogen storage, spintronic, photovoltaic, and photon emission systems will be addressed.

报告人简介：赵宇军，教授，博士生导师。1994年、1999年分别获浙江大学物理系学士和博士学位，期间于1998年在日本静冈大学（Shizuoka University）电子工程系学习一年；1999年至2004年分别于美国西北大学(Northwestern University)和再生能源国家实验室(NREL)从事博士后研究；2005至2006年于美国硅谷的NanoStellar公司理论模拟部任研究员；2006年年底作为学校“百人计划”特聘教授于华南理工大学物理系任教；于2008年入选教育部新世纪优秀人才支持计划。现为物理与光电学院计算物理研究组负责人，并担任中国计算物理学会常务理事。赵宇军教授主要从事晶体缺陷和掺杂理论，以及过渡金属表面的催化机制研究。围绕磁性半导体材料、光伏太阳能材料、储氢材料性能等领域开展了大量的基础性研究工作，近期又开展了对团簇和晶体结构表示新方法的研究。赵宇军教授先后主持了多项国家、省部级科研项目。至今，赵宇军教授已在重要国际学术刊物上发表学术论文100余篇（SCI收录），相关工作被引用达3000余次。