学术沙龙（9月20日 周四 14:30-17:00）

主持人：沈冰 副教授

欢迎广大师生前来参与！

摘要：

II-V族化合物半导体多结太阳电池是目前世界上转换效率最高、工艺最为复杂的光伏器件，由于其较高的制造成本及良好的抗辐射特性，成为目前面向空间应用的主流电池器件。该器件优异的电学性能及超高的光电转换效率引起了光伏研究人员的极大关注。然而，由于其极为复杂的器件结构，使无论是器件的设计、制备及测试手段等诸多方面，均存在较多急待解决的科学难题。本次报告将针对于III-V族多结太阳电池器件的国内外最新、最重要的重要研究成果，包括材料选择原理、电池结构设计方案、制备工艺、及测试诊断技术的开发等方面进行介绍。此外，报告人也将介绍一些目前针对于该器件的抗宇宙射线辐射损伤的相关器件结构改进，以及电池辐射损伤的诊断方法开发及电池寿命评估的相关工作的研究进展。

报告人简介：2004年考入吉林大学微电子学专业，2010年末获国家公派奖学金资助就读于东京大学理学院物理系。2015年获东京大学理学博士学位。同年4月至2017年12月先后任职于东京大学物性研究所及日本产业技术综合研究所（AIST）从事博士后研究工作，2017年12末入职中山大学，现为物理学院与太阳能系统研究所副教授。长期从事于III-V族化合物半导体太阳电池的器件物理，制备工艺及光电测试等研究。个人主要研究领域为III-V多结电池，III-V电子点太阳电池。